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SK海力士公布2026

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发表于 2025-11-4 19:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
在2025年SK野生智能峰会上,SK海力士公布了其下一代DRAM内存和NAND闪存产物线路图,同时会商了如定制HBM、HBF以及针对野生智能优化的产物提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

2026 - 2028年:HBM4、LPDDR6和PCIe Gen6SK海力士将线路图分别了两个阶段:2026年-2028年和2029年-2031年提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。对于2026年-2028年,该公司计划推出16层高的HBM4以及8层、12层和16层高的HBM4E,还有他们定制的HBM处理计划提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

定制的HBM计划,主如果把HBM控制器挪到了HBM根本芯片上提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。像协议等其他IP也都移到了HBM根本芯片上提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。这样一来,GPU/ASIC制造商就能扩大计较芯片的面积提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。而且,定制的HBM设想还能下降接口的功耗提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。SK海力士会和台积电合作,配合开辟定制的HBM计划以及根本芯片提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。
除了这些,SK海力士还将推出一系列传统DRAM处理计划,例如LPDDR6,以及专注于野生智能的“AI-D”DRAM处理计划,如LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。在NAND方面,标准处理计划将包括容量高达245TB+的QLC的PCIe Gen5 eSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0以及专注于野生智能的“AI-N”NAND处理计划提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

2029-2031年:HBM5/E、GDDR7和PCle Gen7进入2029 - 2031年,SK海力士将起头开辟其下一代HBM5、HBM5E处理计划以及响应的定制HBM5处理计划提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。在DRAM方面,SK海力士将供给GDDR7-Next和DDR6产物以及3D DRAM提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

GDDR7-Next值得期待,不外这意味着我们还需要期待一段时候,才能在传统自力显卡上看到GDDR7以后的产物提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。今朝第一代GDDR7的速度上限为30-32Gbps,而该标准的最高上限为48Gbps提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

三星是第一家为英伟达RTX 50和RTX PRO Blackwell GPU供给GDDR7 DRAM的公司,几个月后美光和SK海力士也被加入到该名单中提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。
此外,由于DDR6被定位在2029 - 2031年,看起来我们能够还要等几年才能看到传统台式电脑和笔记本电脑上出现DDR5以后的产物提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

对于未来的NAND产物,SK海力士计划推出400+层的4D NAND和HBF“高带宽闪存”处理计划提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。据先容,高带宽闪存可以满足下一代PC的AI推理需求,是以很期待看到这项技术在现实利用处景中的表示和性能提出申请的零售商必须在新米大量上市的8月底前完成储备米销售。

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